Consells superpràctics: requisits d'inspecció i mètodes de components electrònics----dispositius semiconductors (2-Què és un triode 3)

    https://www.kaichuanpower.com/   

Precaucions d'ús i mètodes de detecció per a la classificació d'efectes de camp: els tubs d'efecte de camp MOS són relativament "esquivants". Això es deu al fet que la seva resistència d'entrada és molt alta i la capacitat entre la porta i la font és molt petita. Es carrega fàcilment per inducció de camps electromagnètics externs o electricitat estàtica, i una petita quantitat de càrrega pot formar una tensió molt alta (U) a la capacitat entre elèctrodes. =P/C), el tub es farà malbé. Per tant, en sortir de la fàbrica, cada pin es retorça o s'instal·la en una làmina metàl·lica per fer que els pols G i S tinguin el mateix potencial per evitar l'acumulació de càrregues estàtiques. Quan la canonada no s'utilitza, tots els cables també s'han de curtcircuitar. S'ha de tenir molta cura quan es mesura i s'han de prendre les mesures antiestàtiques adequades. Abans del mesurament, curtcircuiteu el cos humà a terra abans de tocar els pins del MOSFET. El millor és connectar un cable al canell a la terra per mantenir el cos humà i la terra al mateix potencial. Torneu a separar els pins i traieu els cables. Ajusteu el multímetre a R × 100 i primer determineu la porta. Si la resistència d'un determinat pin i d'altres pins és infinita, demostra que aquest pin és la porta G. Canvia els cables de prova i torna a mesurar. El valor de la resistència entre S i D hauria de ser de diversos centenars d'ohms a diversos milers d'ohms. En el moment en què la resistència és menor, el cable de prova negre està connectat al pol D i el cable de prova vermell està connectat al pol S. Per als productes de la sèrie 3SK produïts al Japó, el pol S està connectat a la caixa del tub, de manera que és fàcil determinar el pol S. Deixeu el pal G a l'aire, connecteu el cable de prova negre al pol D i el cable de prova vermell al pol S i, a continuació, toqueu el pal G amb el dit. L'agulla del mesurador s'ha de desviar molt. El transistor d'efecte de camp MOS de doble porta té dues portes G1 i G2. Per distingir-los, podeu tocar els pals G1 i G2 amb les mans respectivament. Entre ells, el pal G2 té una desviació més gran de la mà del rellotge cap a l'esquerra. Actualment, alguns tubs MOSFET tenen díodes protectors entre els pols GS, de manera que no cal curtcircuitar cada pin. No entraré en detalls sobre altres coneixements relacionats, sempre que tothom ho pugui entendre.